光敏單模光纖

簡要描述：光敏單模光纖：IXF-PHO-CMF和IXF-PHO-CMF-PM設計用于抑制包層模損耗（無CMF包層模）。該光纖具有類似于大多數標準SMF的模場直徑，其具有相對低的光敏性，該光敏性可以用氫負載來增強。主要優(yōu)點是與極低雙折射和低相位噪聲相關的包層模抑制，使其適用于補償大色散的光柵。

產品品牌：其他品牌
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更新時間：2024-06-12
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光敏單模光纖

用于布拉格光柵

我們提供2種不同類型的光敏單模光纖：

IXF-PHO-CMF和IXF-PHO-CMF-PM設計用于抑制包層模損耗（無CMF包層模）。該光纖具有類似于大多數標準SMF的模場直徑，其具有相對低的光敏性，該光敏性可以用氫負載來增強。主要優(yōu)點是與極低雙折射和低相位噪聲相關的包層模抑制，使其適用于補償大色散的光柵。

IXF-PHO-CMS設計用于調整包層模式偏移（CMS包層模式偏移），以優(yōu)化信道間隔。這種光纖具有非常高的鍺纖芯濃度，與國外摻硼纖芯光纖相比具有低的衰減，在沒有氫負載的情況下實現(xiàn)高反射率光柵。CMS系列將使包層模式偏移高達10 nm。

兩種光敏纖維對常規(guī)UV輻射技術都表現(xiàn)出均勻和受控的光敏性。類似的纖維也有聚酰亞胺涂層，適用于惡劣環(huán)境。

光敏單模光纖關鍵特征

l出色的包層模抑制

l與傳輸匹配的模場直徑

應用覆蓋

l光纖布拉格光柵

l增益平坦濾波器

l寬帶濾波器

l溫度和應變傳感器

技術數據

光敏單模光纖

主要規(guī)格

產品名稱	光纖纖芯直徑(μm)	纖芯數值孔徑	衰減@1550nm (dB/km)	截止波長(nm)	模場直徑(μm)	SMF的拼接損耗(dB)	包層模式
IXF-PHO-CMF	8.2	0.13	< 0.5	< 1400	10.5 +/- 1	< 0.07	< 0.2 dB for FBG > 30 dB
IXF-PHO-CMF-PM	8.2	0.13	< 0.5	< 1450	10.5 +/- 1	< 0.07	< 0.2 dB for FBG > 30 dB
IXF-PHO-CMSp	5	0.21	< 2	< 1450	6 +/- 1	< 0.12	Shift up to 4 nm
IXF-PHO-CMS	2.8	0.37	< 10	< 1450	4 +/- 1	< 0.25	Shift up to 9 nm

常見規(guī)格

外包層直徑（μm）：125+/-2

涂層直徑（μm）：245+/-15

芯/涂層濃度誤差（μm）：<15

驗證試驗等級（KPSI）：100

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